電子信息技術(shù)領(lǐng)域做為新型產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢迅速，其年產(chǎn)值達(dá)萬億上電子產(chǎn)業(yè)與礦泉水密切相關(guān)，并且同歩發(fā)展趨勢，電子設(shè)備的品質(zhì)規(guī)定越高，規(guī)定水體的純粹水平越高。二十世紀(jì)50年代末，整流管流行和半導(dǎo)體材料在中國剛閃過之時，制得礦泉水對確保產(chǎn)品品質(zhì)是關(guān)鍵步驟，到八十年代末制定的高純水規(guī)范，意味著了在我國純水制取的水準(zhǔn)。

國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)GB11446－1989《電子級水》將礦泉水區(qū)劃為五級，一級水電阻率應(yīng)達(dá)18MΩ·cm，亦即電導(dǎo)率為0.056礢/cm；二級水電阻率15MΩ·cm，電導(dǎo)率為0.067礢/cm；三級水電阻率10MΩ·cm，電導(dǎo)率為0.1礢/cm；四級水電阻率≥2MΩ·cm，電導(dǎo)率為≤0.5礢/cm；五級水電阻率≥0.5CΩ·cm，電導(dǎo)率為≤2礢/cm。

除開通用性而有利于精確測量的電阻器（導(dǎo)）率指標(biāo)值外，還對五個級別的水要求了不一樣粒度的顆粒數(shù)，病菌數(shù)量。還要求了總有機(jī)碳（TOC）、二氧化硅、氯離子含量、鈣、鉀、鈉、鋅、鐵、銅等的成分。

在電子元件生產(chǎn)工藝流程中，除開對空氣過濾外，對實際操作自然環(huán)境和商品必須持續(xù)開展清理。初期應(yīng)用氟氯烴這類有機(jī)溶劑甚多，自為維護(hù)大氣層限定和嚴(yán)禁毀壞大氣層化學(xué)物質(zhì)的應(yīng)用與排污至今，礦泉水清洗變成關(guān)鍵取代加工工藝，其需求量快速提高的另外，對水的質(zhì)量規(guī)定也持續(xù)提升，進(jìn)而推動了純水制取技術(shù)性的發(fā)展趨勢。

為考慮《電子級水》中一級水和二級水的質(zhì)量規(guī)定，除開開展水的深層去正離子解決外，還務(wù)必除去水里膠體化學(xué)物質(zhì)（含有機(jī)化合物與膠體硅）、病毒和細(xì)菌。

應(yīng)用地表水或大城市飲用水為源水，能夠省掉預(yù)備處理機(jī)器設(shè)備，而立即應(yīng)用高效送風(fēng)口與活性炭過濾器器源水作基本清潔。

微濾和超濾膜能夠合理地去除水里細(xì)顆粒物與膠體化學(xué)物質(zhì)，考慮GB11446－1989《電子級水》對一、二級水細(xì)顆粒物、病菌和總有機(jī)碳（TOC）的規(guī)定。

反滲透裝置與陽離子樹脂的相互配合能夠考慮《電子級水》對電導(dǎo)率的規(guī)定。比如某系統(tǒng)軟件的反滲透裝置以后設(shè)定了二級混和床離子交換器。其出水量品質(zhì)為，ro反滲透器出口水電導(dǎo)率5.6～8.1礢/cm；一級混和床出口水電導(dǎo)率0.09～0.12礢/cm，二氧化硅10礸/L；二級混和床出口水電導(dǎo)率（溫度18℃）0.045～0.053礢/cm，二氧化硅3.6～5礸/L。

在膜過濾以后布局反滲透裝置與電去離子深層除鹽系統(tǒng)軟件，一樣能夠考慮所述水體的電導(dǎo)率水準(zhǔn)。多級別的膜解決能夠保證 商品水無細(xì)顆粒物，這對電子設(shè)備而言是關(guān)鍵的。能夠預(yù)料，在電子產(chǎn)業(yè)中這類純水制取系統(tǒng)軟件將有寬闊的發(fā)展趨勢乾坤。

《電子級水》要求的三級水應(yīng)用有機(jī)化學(xué)除鹽機(jī)器設(shè)備盡管能湊合使商品水電導(dǎo)率達(dá)標(biāo)，可是無法確保膠體化學(xué)物質(zhì)及顆粒物化學(xué)物質(zhì)達(dá)標(biāo)。較為靠譜的依然是采用膜法解決，方可使水體全方位合格。